机译:先进的源极/漏极工程技术,用于在100 nm以下的SOI CMOS中使用激光退火和预非晶化注入形成盒形超浅结
机译:低复杂度全熔体激光退火工艺制造低泄漏注入的超浅结
机译:低复杂度全熔体激光退火工艺制造低泄漏注入的超浅结
机译:接触窗口中自对准As〜+植入物的激光退火以形成超浅结。
机译:低电阻触点与用于纳米级MOS器件的激光退火结。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:接触窗口中自对准As +植入物的激光退火以形成超浅结。
机译:用于太阳能电池结形成的离子注入Cz硅的激光退火